个人简介：

杜晓晴，1978年7月出生，籍贯四川，现任重庆大学光电工程学院教师，副教授，硕士生导师。1996/9-2000/7,就读于南京理工大学，获光电子技术专业学士学位；2000/9-2005/6,就读于南京理工大学，获光学工程博士学位；2005/7-至今，在重庆大学光电工程学院工作，担任教师职务，主要从事半导体光电子材料与器件的教学和科研工作，2007年聘为副教授。现担任电子本科专业课程《半导体器件与测试技术》、研究生专业选修课程《半导体器件物理》的主讲教师，《Chinese Physics B》、《光子学报》、《陕西理工学院学报（自然科学版）》期刊的审稿专家。

研究方向：

主要从事高性能光电探测器件（光电阴极、光子探测器、射线探测器）和电致发光器件（LED、OLED）的机理、特性、结构设计与器件制备研究。

研究成果：

承担并完成国家及重庆市自然科学基金项目3项，负责中央高校科研基本业务费项目2项；参与国家及省部级项目多项。以第一作者或通讯作者发表SCI和EI收录学术论文40余篇，获得授权发明专利5项；获得教育部科学技术发明奖二等奖（排名第6）、三等奖（排名第5）各1项。已培养硕士研究生10名，协助指导博士研究生3名。学术方向和成果主要包括：

①基于柔性电极的聚合物发光二极管研究（F-PLED）。所在项目组进行了银纳米线、银纳米线和石墨烯复合柔性电极的研究，并基于石墨烯与银纳米线复合电极开发聚合物有机电致发光器件，最大电流效率达到8.89cd/A。

② GaAs基、GaN基高性能探测材料与器件研究。采用变掺杂和组分渐变缓冲层设计阴极材料，成功制备出最高量子效率50％的GaAs透射式光电阴极和最高量子效率30％的GaN透射式紫外光电阴极。对GaAs、GaN、AlGaN/GaN材料的光谱响应特性、界面特性、载流子传输特性进行了较为深入的研究。

未来的研究方向：基于银纳米线复合电极的F-PLED的高电致发光效率以及稳定性研究；F-PLED的电流注入特性与调控方法研究；GaAs基、GaN基单光子探测器研究；辐射探测器及探测技术研究。

联系方式：

办公电话：023-65103126

邮箱：duxq@cqu.edu.cn