杜渊民（Du Yuanmin）博士，重庆大学光电工程学院，研究员，博士生导师，弘深优秀学者。2001年获南京大学物理系学士学位，2013年获新家坡国立大学物理系博士学位，先后在沙特阿拉伯国王科技大学（KAUST）及位于台湾新竹的清华大学（NTHU）做博士后研究。在开始博士阶段学习之前， 曾工作于不同半导体公司，包括联华电子的蚀刻与新加坡特许半导体的薄膜工艺部门。在博士阶段，研究题目为基于氧化物薄膜的阻变内存（ReRAM），在台湾博士后期间题目转为磁性薄膜及相关结构（磁记录介质及MRAM）。2020年至2024年在新加坡南洋理工大学任职 Senior Research Fellow， 参与一大型校企合作研究项目，负责嵌入式内存的材料设计、器件制造及测试的研发工作。所参与的产学研项目涉及总经费超过7亿元（经汇率折算）。长期致力于半导体应用相关的研究，关于阻变内存，第一次在氧化物薄膜中观测到非挥发性对称负电阻现象并给予理论解释，并提出一种基于氧离子的存储模型，参与开发工业相关的高性能内存芯片；关于磁性薄膜及相关结构，提出一种基于界面调控提高自旋轨道扭矩效率的新机制，并参与产学合作研究；开发了一种关于过渡金属二硫属化物薄膜的低温制备方法，等。对于ReRAM，专注于解决一致性及可靠性相关的基础性问题。对于MRAM，专注于膜层结构尤其是界面特性对于器件整体性能的影响。论文发表于ACS Nano， Advanced Functional Materials， Physical Review Materials， Applied Physics Letters等学术期刊，论文总引> 1000 次（Google Scholar），受邀参写一部书章节。    

Pt/TiO₂/TiN 结构中的对称性负电阻现象及三阻态

研究兴趣：

Non-volatile memory: ReRAM, MRAM

Oxide electronics

Magnetism and spintronics

Surface and interface analysis

Photonics and optoelectronics

本课题组现面向国内外招聘具有凝聚态物理、凝聚态光学、材料工程或半导体薄膜与器件研究背景的博士后青年学者，同时欢迎对相关研究方向具有浓厚兴趣的优秀学生加入课题组，攻读硕士或博士学位。实验室长期开展本科生科研训练项目，并与多家国外顶尖科研机构保持紧密合作，优秀者可获得联合培养或海外继续深造的推荐机会。

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